А.Ф. Курчанов, П.Г. Харламов
ФГУП «ВНИИФТРИ», Менделеево, Московская обл., Россия;
kurchanov@vniiftri.ru,
harlamov@vniiftri.ru
«Альманах современной метрологии» № 4 (40) 2024, стр. 146–160
УДК 621.373.826
Аннотация. Прошло 36 лет с момента открытия малоизвестного фотозарядного эффекта, пока так и не нашедшего объяснения, экспериментальное исследование которого, по-прежнему актуальное, продолжено в настоящей статье. Приведён краткий обзор исследований этого эффекта, проявляющегося только в динамике, для изменяющейся освещённости. Получены экспериментальные данные при интенсивностях освещения выше и ниже границы проявления эффекта. Предложено эмпирическое дифференциальное уравнение, связывающее выходной сигнал приёмника с интенсивностью освещения как ниже, так и выше этой границы. Свежие экспериментальные данные сопоставлены с результатами 1988 года. Описано влияние длительности импульса на амплитуду отклика. Предложена компоновка многоканальной приёмной матрицы для приёма видеоизображений на основе фотозарядного эффекта.
Ключевые слова: фотоэффект, фотозарядный эффект, оптический импульс, энергия, мощность, интенсивность.
Цитируемая литература
1. Курчанов А.Ф., Епихина Г.Е., Ефреев З.Л., Фаенов А.Я. Наблюдение фотоэлектрического эффекта при воздействии лазерного излучения на металлы и полупроводники // Квантовая электроника. — 1988. — T. 15. — № 4. — C. 720–725.
2. Епихина Г.Е., Ефреев З.Л., Курчанов А.Ф., Фаенов А.Я. Регистрация энергетических и временных параметров импульсного светового излучения с помощью конденсаторов // XII Всесоюзный семинар «Импульсная фотометрия»: тезисы докладов. — Л., 1988. — C. 107.
3. Мартьянов П.С. Особенности фотозарядового эффекта на природных материалах // Техника. Технологии. Инженерия. — 2017. — № 4 (6). — С. 1–8.
4. Pustovoit V.I., Borissov M., Ivanov O. Photon-charge effect in conductors // Physics Letters A. — 1989. — V. 135. — № 1. — P. 59–61. — DOI: 10.1016/0375-9601(89)90728-7.
5. Pustovoit V.I., Ivanov O., Borisov M. Surface photo-charge effect in conductors // Solid State Communications. — 1989. — V. 72. — № 6. — P. 613–619. — DOI: 10.1016/0038-1098(89)91044-2.
6. Davydov I., Ivanov O., Svircov D., Georgiev G., Odrinsky A., Pustovoit V. Contactless spectroscopy of deep levels in semiconducting materials: GaAs // Spectroscopy Letters. — 1994. — V. 27. — № 10. — P. 1281–1288. — DOI: 10.1080/00387019408003237.
7. Ivanov O., Kuneva M. Quality control methods based on electromagnetic field-matter interactions // Applications and Experiences of Quality Control. — Vienna, Austria: INTECH, 2011. — P. 509–536.
8. Das P., Mihailov V., Ivanov O., Georgiev V., Andreev S., Pustovoit V.I. Contactless characterization of semiconductor devices using surface photocharge effect // IEEE Electron Device Letters. — 1992. — V. 13. — № 5. — 291–293.
9. Мартьянов П.С., Бурмак Л.И. Метод на основе фотозарядового эффекта для разработки новых оптических систем // Universum: Технические науки. — 2017. — № 6 (39). — URL: https://7universum.com/ru/tech/archive/item/4954.
10. Ivanov O., Mihailov V., Djulgerova R. Spectal dependencies of the surface photo-charge effect at conducting surfaces // Spectroscopy Letters. — 2000. — V. 33. — № 3. — P. 393–398. — DOI: 1080/00387010009350085.
11. Храпов Ф.И., Панков А.А. Анализ нормативных документов, регламентирующих планирование работ по метрологическому обеспечению разработки продукции // Альманах современной метрологии. — 2022. — № 3 (31). — С. 94–105.
Статья поступила в редакцию: 29.10.2024 г.
Статья прошла рецензирование: 16.08.2024 г.
Статья принята в работу: 20.11.2024 г.
Полные тексты статей доступны в печатных номерах журнала по подписке и при покупке отдельных номеров у издателя.
Также полные тексты статей размещаются в Научной электронной библиотеке eLIBRARY.